Szupergyors NAND flash-t fejleszt az Intel és a Micron
Milkovits Gábor, 2008. február 2. 10:03
Az Intel és a Micron által létrehozott IM Flash Technologies vegyes vállalatnak sikerült olyan NAND flashmemóriát kifejlesztenie, amely a cég állítása szerint ötször gyorsabb, mint a hagyományos NAND eszközök.
A négyrétegű architektúra magasabb órajellel lehetővé teszi, hogy az újfajta NAND flash panelek 200 Mb/s olvasási 100 Mb/s írási sebességet érjenek el. Az egyszintű NAND csipek 40 és 20 megabit/s-ra képesek. Az IM Flash a közeljövőben viszont szeretné látni a technológiát számos eszközben, a flash SSD háttértáraktól és hibrid merevlemezektől a HD videókamerákig.
A cég álláspontja szerint az USB 2.0-nál tízszer gyorsabbra tervezett USB 3.0 szabvány bevezetése után éppen az alapszintű flashmemória korlátozott olvasási sebessége lesz majd az üvegnyak, amely lassítja az ilyen eszközök működését. Éppen ezért az új, többszintű NAND flash termékek megjelenése az IM flash szerint sürgető, habár konkrét időpontokról egyelőre nem tettek említést.
A cég álláspontja szerint az USB 2.0-nál tízszer gyorsabbra tervezett USB 3.0 szabvány bevezetése után éppen az alapszintű flashmemória korlátozott olvasási sebessége lesz majd az üvegnyak, amely lassítja az ilyen eszközök működését. Éppen ezért az új, többszintű NAND flash termékek megjelenése az IM flash szerint sürgető, habár konkrét időpontokról egyelőre nem tettek említést.
Kapcsolódó cikkek
- Új Intel SSD mobilkészülékekhez
- Önkímélő flash merevlemez a Hitachitól
- Intel: szabad az út az 50 nm-es Samsung DDR2 DRAM előtt
- USB flash-eszközök akár teljes felhasználói profilok hordozásához
- 50nm-es Intel-Micron MLC NAND flash memória
- Flashmemóriás laptopot tervez az Apple?
- Ígéretes új memóriachipeken dolgozik az IBM, a Macronix és a Qimonda
- 50 nm-es NAND flash csipek az Intel-től és a Micron-tól
- 16 GB-os hordozható USB flash adattároló eszköz
- 32 GB-os Samsung flashmemória laptopokba a CeBIT-en