Megnyílt a Samsung és az SAP nyílt kutatási központja

forrás: Prím Online, 2016. szeptember 29. 11:26

A Samsung Electronics és az SAP SE megnyitotta közös kutatási központját, ahol a mérnökök a következő generációs in-memory computing technológiához használt memória-megoldásokhoz kapcsolódóan végezhetnek kutatási és fejlesztési feladatokat. Az ünnepséget a Samsung Electronics dél-koreai Hwaseong kampuszán tartották Dr. Young-Hyun Jun, a Samsung Electronics memóriafejlesztésért felelős ágazatának igazgatója, illetve Adaire Fox-Martin, az SAP Asia Pacific Japan elnöke, valamint mindkét cég további vezetőinek részvételével.

A kutatóközpont a két vezető nagyvállalat közötti kiterjedt partnerkapcsolat jegyében jött létre. Az együttműködés keretein belül a két cég olyan memóriában tárolt technológiai fejlesztésekre összpontosít, amelyek gyorsabb adatfeldolgozást és az egyre gyorsabban növekvő adatmennyiségek informatív elemzését teszik lehetővé.

 

A cél a memóriában tárolt megoldások globális piacának fejlettebb szintre emelése. Ennek érdekében csúcstechnológiás kutatásokat végeznek az ügyfelek számára kialakított megoldásokban alkalmazható következő generációs DRAM kifejlesztéséért, és közösen dolgoznak a kereskedelmi forgalomba hozatalon is.

 

 

A kutatóközpontban a Samsung és az SAP a kiterjedt technikai támogatáson keresztül globális ügyfelek számára optimalizált memóriában tárolt megoldásokat kínál majd, amelyek kiterjednek többek között az SAP HANA platformra, valamint a Samsung legújabb nagy teljesítményű, nagy sűrűségű memória-megoldásaira is.

 

A központ kiszolgálói rendszere egy 24 terabájtos (TB) memóriában tárolt platformot használ, amely a Samsung 20 nanométeres feldolgozási csomópontra gyártott 128 gigabájtos (GB) DDR4 3DS (háromdimenziós vertikális) DRAM moduljain alapul. A vállalatok azt tervezik, hogy jövőre 10 nm-es osztályú 256 GB-os 3DS DRAM modulok alkalmazásával javítják az általános rendszerteljesítményt és energiafelhasználási hatékonyságot, ez pedig olyan memóriában tárolt rendszer kialakításához vezethet, amely még nagyobb befektetési megtérülést jelent a Samsung és az SAP ügyfelei számára.

 

„A legújabb 10 nm-es osztályú DRAM technológiánkkal fejlettebb, rendkívül hatékony megoldást biztosíthatunk az SAP következő generációs memóriában tárolt rendszeréhez” – jelentette ki Dr. Young-Hyun Jun, a Samsung Electronics memóriafejlesztésért felelős ágazatának igazgatója. – „A Samsung a folyamatos fejlesztéseknek köszönhetően továbbra is őrzi vezető technológiai pozícióját a nagy sűrűségű memóriák piacán.”

 

„A Samsunggal együtt, az SAP HANA platform használatával kifejlesztjük a memóriában tárolt megoldások következő generációját. Ez az együttműködés jól példázza az innováció melletti elköteleződésünket, amelynek köszönhetően ügyfeleink győztes helyzetbe kerülhetnek a digitális gazdaságban” – nyilatkozta Adaire Fox-Martin, az SAP Asia Pacific Japan elnöke.

 

Megoldás ROVAT TOVÁBBI HÍREI

Csökken a magyar vállalkozások száma, a MI pedig alig várja, hogy ezen lendítsen

Csökken a magyar vállalkozások száma, azaz a megszűnések és felszámolások meghaladják az újonnan alapított cégek számát, amelyek hátterében a nem elég körültekintő üzleti tervezés, vagy akár a nem hatékony munkafolyamatok állhatnak – derül ki a Billingo, az egyik leggyakrabban használt, online számlázóprogramot fejlesztő hazai cég összefoglalójából. 

2024. június 23. 13:54

Különleges naperőmű kezdte el működését Környén

Egyre több magyarországi iparvállalat tesz komoly lépéseket, hogy zöldebbé tegye energiafogyasztását. Számukra azonban kihívást okozhat, hogy az időjárásfüggő naperőműveket hogyan integrálják költséghatékonyan rendszereikbe. 

2024. június 23. 10:22

Kövess minket a Facebookon!

Cikkgyűjtő

További fontos híreink

A kvantumtechnológia alapjaiban változtatja meg jövőnket

2024. június 20. 16:28

A kiberbűnözők piszkos játéka: 9+1 kibertámadás a sport világából

2024. június 12. 11:43

Elstartolt a Startup Safari Budapest 2024

2024. június 10. 11:40

Marad-e az AI homály a vállalkozások körében?

2024. június 3. 13:02