STMicroelectronics: új memóriagyártási technológia
Vége a háttérsugárzás okozta chiphibáknak
A chipgyártókat már jó ideje aggasztja a generációváltás
eredménye, a tranzisztorok csökkenő mérete, mert ebből kifolyólag nő a
háttérsugárzás ionizáló hatása, mely módosítja a memóriacellákban tárolt
1-eseket és 0-kat. Napjainkban a kozmikus sugarak, valamint az ólomban
található, természetes háttérsugárzást okozó nyomelemek - mint a rádium és
tórium - is létrehozhatják az ún. javítható hibákat. Jóllehet ezzel a
hibafajtával rendkívül ritkán találkozhatunk, egy bit megváltozása is egy
program eredményének megváltozásához, vagy akár a rendszer összeomlásához is
vezethet. Következmény: a memóriagyártók hibajavító áramköröket építettek be a
chipekbe, de a javítható hibák jelentette fenyegetést elhárító áramkörök
bonyolultabb szerkezetűvé és drágábbá tették azokat.
A javítható hibák kijavítására az STMicroelectronics
kutatói a chip méretét nem változtató megoldással rukkoltak elő: egy
kondenzátort építettek a memória-áramkörre. A 3D-s megoldást kihasználva
csökkenthető annak a valószínűsége, hogy sugárzás hatására megváltozzék a
logikai bit (1 vagy 0). Az STMicroelectronics által kiadott nyilatkozat szerint
a technológiát már jövőre alkalmazni fogják a beágyazott statikus RAM-ok (SRAM)
gyártásánál. Ezt a memóriatípust a chipbe integrált rendszerek - mint például
digitális fényképezőgépek és mobiltelefonok - processzorainál használják, azaz
egy tokozásba több különböző funkciójú chip kerül.
"Ez az áttörés sokkal robusztusabb rendszereket ad
felhasználóink kezébe" - mondta Jean-Pierre Schoellkopf, az
STMicroelectronics kutató- és fejlesztőcsoportjának igazgatója. A csoport a
héten jelenti be hivatalosan a fejlesztést.
Kapcsolódó cikkek
- 4 GB-os Samsung mobiltelefonos memóriacsip
- Flashcéget alapít az Intel és az STMicro
- USB flash-eszközök akár teljes felhasználói profilok hordozásához
- 50nm-es Intel-Micron MLC NAND flash memória
- Flashmemória automatából
- 8 GB Samsung flasmemória mobiltelefonokhoz
- Koreai tudósok 8 nm-es NAND csipet fejlesztettek ki
- Flashmemóriás laptopot tervez az Apple?
- Samsung: 60nm-es, 1Gbites DDR2 DRAM lapka
- 2000 MHz-es Samsung grafikus memória