Új technológiák, gyorsabb processzorok

Széll Zoltán, 2002. december 9. 11:16
A héten kerül megrendezésre az IEDM 2002 (International Electron Devices Meeting) konferencia, amelyen többek között az IBM és az Intel kutatói és tervezőmérnökei tartanak előadásokat a legújabb fejlesztési eredményekről, így a jövő évben bevezetésre kerülő "strained silicon" ("feszített szilícium") technológiáról. Az előzetes számítások szerint a "feszített szilícium" (a szilícium germániummal kombinált változata) maximum 20 százalékkal növeli a mikroprocesszorok sebességét.
A San Franciscó-i konvención - a félvezető-tervezők egyik legfontosabb évenkénti eseménye - részt vesz Andy Grove, az Intel elnöke is, aki az egyik kulc jelentőségű előadást tartja. Érkeznek még előadók többek között a Sonytól, a Samsungtól, valamint a Pennsylvaniai Állami Egyetemről és a Massachussettsi Technológia Intézetből.

A feszített szilícium - hasonlóan a két és három vezérlőelektródás tranzisztorokhoz, SOI (szilícium szigetelőn) és egyéb új konstrukciós ideákhoz - a jövőben is biztosítja a teljesítménynövekedést, és ezen keresztül a Moore-törvény érvényesülését. A Moore-törvény szerint a tranzisztorok száma 24 hónaponként megduplázódik a lapkákon.

A tranzisztorok számának növelése szükséges a mikroprocesszorok képességének bővítéséhez és teljesítményének fokozásához. Ez a közelítés növeli a lapkák energiaigényét, amely az egyik legjelentősebb az összes probléma között. Ezt kell alapvetően új módszerekkel megoldani.

Ezért a tervezők új anyagok és tranzisztorstruktúrák kifejlesztésén dolgoznak. Főleg az IBM és az Intel kutatói járnak az élen az új megoldások kifejlesztésében, amelyek nagyon jelentősek lehetnek a jövőben. A feszített szilícium koncepciója már 30 éves, de csak most kerül át a kutatási-fejlesztési fázisból a gyártásiba.

A "feszített szilícium" - 2003-ban, az Intel Prescott lapkákban tűnik fel majd először - megnöveli a távolságot szilíciumatomok között a tranzisztorokban, a vékony be/ki kapcsolókban, amelyek egy lapka alapját képezik. A nagyobb távolság a tranzisztorokban növeli az elektronok sebességét, ami további energiafelvétel nélkül fokozza a processzorok teljesítményét. A "feszített szilícium" esetében az atomokat germániumatomok behelyezésével távolítják el egymástól a lapka szilíciumrácsában. Egy másik eljárás szilícium-germánium réteget helyez el a tranzisztorágyban. A két technológia koncepciójában rokon, de mégis különbözik egymástól, ezért ugyanazon lapkában használhatók.

Az IBM kutatói három előadást tartanak a két vezérlőelektródás tranzisztorokról, amelyeket a Fin-Fet tranzisztorokhoz használnak. Ezeket a tranzisztorokat az energiafelvétel vezérléséhez használják. Az IBM Microelectronics bemutatja az új 350 MHz-es kommunikációs tranzisztort és a 3D integrált áramkör konstrukciót.

Az Intel kutatói a több vezérlő elektródás tranzisztorokról tartanak előadást. Ezeket szeptember elején az IDF Fall 2002 konferencián részben már bemutatták. A lapkagyártó óriás a jövő évben bevezetésre kerülő 90 nm-es gyártási eljárásra koncentrál, amely a teljesítmény növeléséhez magába foglalja a feszített szilíciumot és a most kifejlesztett új anyagokat. Az Intel további előadásokon mutatja be a PC-lapkákhoz és kommunikációs processzorokhoz használt technológiákat.

A "feszített szilícium" előállítása csak 1-2 százalékkal kerül többe, mint a "normál" szilíciumé, és 10-20 százalék teljesítménynövekedést produkál. Az IBM a "feszített szilíciumot" csak 2005-ben a 65 nm-es technológiához használja először.

Kövess minket a Facebookon!

Cikkgyűjtő

További fontos híreink

Akár 50% időmegtakarítást jelenthet a PS szinte érintésmentes könyvelési megoldása

2024. július 16. 16:29

ESET kiberfenyegetettségi jelentés: egyre gyakoribb a mesterséges intelligencia és a deepfake a támadásokban

2024. július 5. 09:55

A Schneider Electric a világ legfenntarthatóbb vállalata a TIME szerint

2024. július 4. 19:09

A legmodernebb digitális oktatási rendszert valósította meg a Delta Systems a Corvinus Egyetemen

2024. július 1. 12:59