Szupergyors NAND flash-t fejleszt az Intel és a Micron

Milkovits Gábor, 2008. február 2. 10:03

Az Intel és a Micron által létrehozott IM Flash Technologies vegyes vállalatnak sikerült olyan NAND flashmemóriát kifejlesztenie, amely a cég állítása szerint ötször gyorsabb, mint a hagyományos NAND eszközök.

A négyrétegű architektúra magasabb órajellel lehetővé teszi, hogy az újfajta NAND flash panelek 200 Mb/s olvasási 100 Mb/s írási sebességet érjenek el. Az egyszintű NAND csipek 40 és 20 megabit/s-ra képesek. Az IM Flash a közeljövőben viszont szeretné látni a technológiát számos eszközben, a flash SSD háttértáraktól és hibrid merevlemezektől a HD videókamerákig.

A cég álláspontja szerint az USB 2.0-nál tízszer gyorsabbra tervezett USB 3.0 szabvány bevezetése után éppen az alapszintű flashmemória korlátozott olvasási sebessége lesz majd az üvegnyak, amely lassítja az ilyen eszközök működését. Éppen ezért az új, többszintű NAND flash termékek megjelenése az IM flash szerint sürgető, habár konkrét időpontokról egyelőre nem tettek említést.

Kövess minket a Facebookon!

Cikkgyűjtő

További fontos híreink

A kék halál képernyőn túl: miért ne hagyjuk figyelmen kívül a szoftverfrissítéseket?

2024. július 26. 13:59

Idén a fenntartható cégek tulajdonosait is díjazza az EY

2024. július 24. 13:59

Akár 50% időmegtakarítást jelenthet a PS szinte érintésmentes könyvelési megoldása

2024. július 16. 16:29

ESET kiberfenyegetettségi jelentés: egyre gyakoribb a mesterséges intelligencia és a deepfake a támadásokban

2024. július 5. 09:55