Megérkezett a Samsung és az eSilicon 14 nanométeres hálózati processzora

forrás: Prím Online, 2017. március 28. 14:52

A Samsung Electronics, a fejlett technológiájú félvezetők világelső gyártójának legújabb hálózati processzora az eSilicon és a Rambus vállalatokkal történő együttműködés eredménye. 

A Samsung új megoldásának sikerét a csúcstechnológiát jelentő, alacsony fogyasztású 14LPP gyártástechnológia, a hálózati alkalmazások tervezésének struktúrája, az eSilicon komplex ASIC és 2.5D tervezési képességei, valamint a Rambus nagy sebességű 28G SerDes megoldása garantálja. 

 

A Samsung 14LPP gyártástechnológiája a 3D FinFET struktúrára épül, amely már sikeresen bizonyította kiemelkedő teljesítményét és megbízhatóságát a tömeggyártási eredményekkel. A következő generációs hálózati megoldások 10LPP gyártástechnológiával készülnek majd, amely a tavalyi év során már tömeggyártásba kerülő 10LPE (kis kezdeti áramfelvétel) technológián alapul. A 10LPP gyártástechnológia bevezetése a tömeggyártásban az idei év végén várható. 

 

A Samsung az I-Cube nevet adta a frissen kifejlesztett, teljesen 2.5D és kulcsrakész technológiájának, amely egy interposer réteg segítségével köti össze a logikai chipet a HBM2 memóriával. Ez a 14LPP gyártástechnológiával készült hálózati feldolgozóchip az első olyan termék, amelyben a Samsung az I-Cube megoldást HBM2 memóriával ötvözte. Az I-Cube megoldás elengedhetetlen a hálózati alkalmazások esetében a nagy sebességű jeltovábbításhoz. Ezt a technológiát várhatóan olyan területeken is alkalmazzák majd a közeljövőben, mint az MI, valamint a számítási és a kiszolgálói alkalmazások.  

 

 

„A 14 nm-es hálózati processzorunk fejlesztése izgalmas kihívás volt” – mondta Ryan Lee, a Samsung Electronics félvezetőgyártó üzletágának marketing alelnöke. – „A termék sikeres megtervezésében nagy szerepet játszott az eSilicon eddigi tapasztalata a hálózati eszközök fejlesztésében, a Rambus szakértelmén alapuló SerDes megoldás, valamint a Samsung megbízható gyártástechnológiája és az I-Cube megoldás. Az együttműködésből született terméktípus egy valóban egyedi innovációt jelent, amely nagy hatással lesz a hálózati chipek szegmensére. A Samsung továbbra is fejleszti a hálózati chipek gyártástechnológiáját, hogy a vállalat a hálózati megoldások meghatározó szereplőjévé válhasson. A 14 nm-es gyártástechnológiáról a későbbiekben a 10 nm-es, majd a 7 nm-es technológiára állunk át.”

 

„A projekt sikerét a Samsung, a Rambus és az eSilicon mérnökeinek együttműködése biztosította. A fejlesztési folyamat alatt az eSilicon büszkén osztotta meg tapasztalatait a FinFET ASIC technológiáról, az interposer rétegről, valamint az elengedhetetlen 2.5D integrálással kapcsolatban” – nyilatkozta Patrick Soheili, az eSilicon termékmenedzsmentért és vállalatfejlesztésért felelős alelnöke. – „A második generációs HBM PHY chipekkel, a flip chip tokozással és a memória egyedi kialakításával nagy mértékben járultunk hozzá az optimális méret és energiafogyasztás, valamint a magas teljesítmény eléréséhez.” 

 

„A hálózati eszközök OEM gyártói olyan vezető partnereket keresnek az iparágban, akik az IP-megoldásaikkal elérhetővé teszik a 28G SerDes megoldást és a fejlett FinFET gyártástechnológiát a piaci szereplők számára” – mondta Luc Seraphin, a Rambus memóriákért és interfészekért felelős divíziójának senior alelnöke és igazgatója. – „A Samsunggal és az eSilicon vállalattal elért sikereinek is azt igazolják, hogy ezek a mérföldkőnek számító fejlesztések megvalósíthatók, ha együttműködnek a vezető vállalatok. A most elért eredmény csak az első a fejlesztések között, amelyeket a jövőben szeretnénk bevezetni a hálózati és vállalati ASIC eszközök piacára a világ minden táján.”

Kövess minket a Facebookon!

Cikkgyűjtő

További fontos híreink

Hosszabbít Az Év Honlapja Pályázat

2021. október 15. 18:12

Google: környezetbarát keresési funkciók érkeztek

2021. október 7. 17:13

Radikális változások jönnek a Google keresésben: itt a MUM!

2021. szeptember 30. 19:07

Megújul a Vodafone vezetékes internet és TV portfoliója

2021. szeptember 29. 11:20