50nm-es Intel-Micron MLC NAND flash memória

Széll Zoltán, 2007. április 27. 19:15

Az Intel és a Micron bejelentette, hogy elkészültek az 50nm-es, többszintű cellákat (MLC) tartalmazó NAND flash memória lapkák első mintái. A mintalapkákat az IM Flash Technologies közös vállalat készítette.

Az új MLC NAND flash memória komponensek jellemzője a világosztályú szilíciumlapka és cellaméret, amely ideális a számítógépekhez és a közhasználatú kézi elektronikus eszközökhöz. Az 50nm-es MLC technológiát használó lapkák tárolókapacitása 16Gbit, míg az 50nm-es egyszintű cellákat (SLC) használó termékek kapacitása 4Gbit. Az utóbbi szállítását a két vállalat már megkezdte.

Az Intel és a Micron az új MLC NAND terméket egy év alatt tette gyártásra alkalmassá. Az új tárolólapkák a csúcstechnológiát képviselő 300mm-es szilíciumlemezeken készülnek. A két cég – a tervek szerint - gyorsan növeli majd a gyártás volumenét, illetve a piacra szállított lapkák mennyiségét, és már fejleszti a 40nm alatti NAND flash memória termékeket és a gyártásukhoz szükséges technológiát.

Az Intel és a Micron az iparban elsőként szállított a piacra 50nm-es SLC NAND mintákat 2006 júliusban és elsőként kezdték meg a legfejlettebb 50nm-es MLC architektúra fejlesztését. Azonban itt nincs megállás, mivel megkezdték a kisebb, fejlettebb többszintű cellák tervezését.

A NAND flash lapkákat a Micron gyáraiban (Boise, Idaho és Manassas, Va.,) és az IM Flash közös vállalat 300 mm-es gyárában (Lehi, Utah) készülnek. A két vállalat azonban halad előre és a tervek szerint az IM Flash közös vállalat új gyárat épít Szingapúrban.